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    Titel :

    Characteristics of InGaAs/GaAs/GaInP Quantum Well Lasers Grown by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy


    Beteiligte:
    Zhang, G. (Autor:in) / Ovtchinnikov, A. (Autor:in) / Naeppi, J. (Autor:in) / Asonen, H. (Autor:in) / IEEE

    Kongress:

    13th, International semiconductor laser conference ; 1992 ; Takamatsu; Japan



    Erscheinungsdatum :

    1992-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as the conference digest



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch