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    Titel :

    Experimental Analysis of Room-Temperature Optical Gain in GaInN/GaN and GaN/AlGaN Double Heterstructures and Quantum Wells



    Kongress:

    International conference; 15th, Semiconductor laser ; 1996 ; Haifa; Israel



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    Also known as ISLC '96. IEEE cat no 96CH35896 and 96CB35896



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Improving optical performance of AlGaN quantum wells

    Wieczorek, S. / Fischer, A.J. / Lee, S.R. et al. | IEEE | 2004


    Improving Optical Performance of AlGaN Quantum Wells

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004


    Time-resolved photoluminescence studies of carrier diffusion in Si-doped GaInN/GaN quantum wells

    Olaizola, S.M. / Skolnick, M.S. / Mowbray, D.J. et al. | IEEE | 2003