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    Titel :

    Wafer bonding technique for fabricating 1.5-m InGaAs/InGaAsP pillar-free microdisk lasers [2886-548]



    Kongress:

    Conference, Semiconductor lasers II ; 1996 ; Beijing



    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    3 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    0.808-m InGaAsP/GaAs SCH lasers [2886-566]

    Zhu, B. / Zhang, X. / Bo, B. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    1.48-m InGaAs/InGaAsP separated confinement strained layer multiple quantum well lasers [2886-559]

    An, H. / Yang, S. / Sun, H. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    LPE growth of high-power InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers [2886-547]

    Bo, B. / Zhang, B. / Zhu, B. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    Electrically Injected InGaAsP Microdisk Lasers Heterogeneously Integrated on a Si-Wafer

    Van Campenhout, J. / Rojo-Romeo, P. / Van Thourhout, D. | IEEE | 2006


    Nr. 2886

    DataCite | 1900