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    Titel :

    Low-threshold-current InGaAs vertical cavity surface emitting laser with reverse mesa structure [2886-537]



    Kongress:

    Conference, Semiconductor lasers II ; 1996 ; Beijing



    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    5 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    MBE growth of low-threshold-current InGaAs VCSEL structure [2886-542]

    Lin, Y. / Zhou, Z. / Pan, Z. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    Far-field control of vertical cavity surface emitting lasers [2886-521]

    Zhao, Y.-G. / Zhang, Y.-S. / Huang, X.-L. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    Optically pumped ZnSe-ZnS MQWs blue vertical cavity surface emitting lasers [2886-546]

    Shen, D. / Li, H. / Zhang, J. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    Nr. 2886

    DataCite | 1900


    Interdiffusion effect on the gain of InGaAs/InP quantum well laser [2886-509]

    Chan, M. C. Y. / Chan, K. S. / Li, E. H. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996