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    Titel :

    Low-Transparency-Current-Density, High-Gain 1.3-m Strained-Layer InGaAsP/InP Quantum-Well Laser Material



    Kongress:

    7th Annual meeting, LEOS '94 ; 1994 ; Boston; MA


    Erschienen in:

    LEOS '94 ; 406-407


    Erscheinungsdatum :

    1994-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    In 2 vols; IEEE Cat no 94CH3371-2



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Basic Design Principles for InGaAsP/InP Strained-Layer Single-Quantum-Well Lasers

    Seki, S. / Yokoyama, K. | British Library Online Contents | 1994


    Characteristic analysis of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers

    Ma, C. / Han, C. / Liu, S. | British Library Online Contents | 1997


    Ultra-low Transparency Current Density of Strained Quantum Well Lasers by Coupling with n-Type -Doped Layer

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    1.48-m InGaAs/InGaAsP separated confinement strained layer multiple quantum well lasers [2886-559]

    An, H. / Yang, S. / Sun, H. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996