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    Titel :

    Lasing Properties of GaAs/AlGaAs Lasers Grown by MOVPE and Bandgap-Shifted by Impurity Free Vacancy Diffusion



    Kongress:

    7th Annual meeting, LEOS '94 ; 1994 ; Boston; MA


    Erschienen in:

    LEOS '94 ; 375-376


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1994


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    In 2 vols; IEEE Cat no 94CH3371-2



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Kinetics of Impurity Free Vacancy Disordering in GaAs/AlGaAs Heterostructures

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    GaAs/AlGaAs photonic integrated circuits fabricated using impurity-free vacancy disordering (Invited Paper) [2401-27]

    Marsh, J. H. / Cusumano, P. / Bryce, A. C. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995




    One-Step Rapid Thermal Process for Bandgap Tuned Lasers in GaAs/AlGaAs Structure

    Ng, S. L. / Ooi, B. S. / Lam, Y. L. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001