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    Titel :

    Strained-Layer InGaAs-GaAs-AlGaAs Buried Heterostructure Lasers by Three-Step Selective-Area Metalorganic Chemical Vapor Deposition



    Kongress:

    6th Annual meeting, LEOS '93 ; 1993 ; San Jose; CA


    Erschienen in:

    LEOS '93 ; 16-17


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 93CH3297-9



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Low Threshold InGaAs-AlGaAs-GaAs Strained-Layer Quantum Well Heterostructure Square Ring Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    1.4m Strained-Layer InGaAs-GaAs-InGaP SQW Lasers on Ternary In0.03Ga0.97As Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    1.28 mum InAs/GaAs Quantum Dot Lasers with AlGaAs Cladding Layer Grown at Low Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2004