Damit Elektroantriebe im Automobil ihre Vorteile hinsichtlich CO2-Emission und Zuverlässigkeit voll ausspielen können, muss noch sehr kräftig in die Entwicklung von Leistungshalbleitern investiert werden, wie hier anhand von Mosfets für die Kraftfahrzeugelektronik (International Rectifier) gezeigt wird. Es kommt darauf an, Verbesserungen bei der Leistungsdichte zu erzielen, ihre Baugröße zu reduzieren und die Kühlung und Entwärmung zu verbessern. Kein Halbleiter stellt einen idealen Schalter mit einem unendlich niedrigen Einschaltwiderstand dar. Das mögliche Wärme-Management wirkt sich in hohem Maße auf die Leistungsdichte aus. Für eine hohe Stromleistungsdichte ist die Sperrschichterwärmung zu minimieren (kleiner Drain-Source-Widerstand), eine effiziente Wärmeableitung zu wählen und den Mosfet klein ohne Abstriche an den anderen Forderungen zu gestalten. Die einzelnen Maßnahmen werden mit ihren Einflussfaktoren und Möglichkeiten vorgestellt und ein Vergleich von Mosfets mit verschiedenem Gehäusen (Tabelle) vorgenommen.


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    Title :

    Keine halben Sachen. Leistungsdichte und Performance von Automotive-Mosfets optimieren


    Additional title:

    Optimizing the power density and performance of automotive mosfets


    Published in:

    Elektronik Journal ; 45 , 3 ; 26-28


    Publication date :

    2010


    Size :

    3 Seiten, 4 Bilder, 1 Tabelle



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    German




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