Das Ziel der Untersuchung war, eine GaAs-Solarzelle zu entwickeln, die unter Weltraumbedingungen ein optimales Betriebsverhalten aufweist. Eine Graphik vergleicht den Wirkungsgrad von Si-Solarzellen mit dem von GaAs-Solarzellen (10 Prozent - 16 Prozent bzw. 13 Prozent - 20 Prozent). Die Zellengroesse des entwickelten Bauteils hat eine Groesse von 2 cm x 2 cm. Selbst bei hohen Temperaturen wird von GaAs-Solarzellen ein hoher Wirkungsgrad erreicht (bei 100 Cel 16 Prozent). Es wird gezeigt, dass die GaAs-Bauteile im Gegensatz zu den Si-Bauteilen hohen Elektronenbestrahlungen - 1015 cm (exp-2) - widerstehen.
Development of space-qualified GaAs solar cells
Die Entwicklung von GaAs-Solarzellen fuer Weltraumanwendungen
1980
6 Seiten, 10 Bilder, 3 Tabellen, 4 Quellen
Conference paper
English
Properties of Qualified Space Solar Sheet with InGaP/GaAs Dual-Junction Thin Film Solar Cells
British Library Conference Proceedings | 2011
|European Patent Office | 2018
|British Library Online Contents | 1994
|AIAA | 1993
|Development of Ultra-Thin GaInP/GaAs Space Solar Cells
British Library Conference Proceedings | 2011
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