Mit Hilfe der Travelling-Solvent(Heater)-Methode (TSM bzw. THM) soll eine Verbesserung der Kristallqualitaet in III-V-Halbleitern insbesondere GaSb und InSb, erreicht werden, wobei daraus Erwartungen fuer Experimente im Spacelab abgeleitet werden sollen. Wachstumsversuche in vertikalen (Stuttgart) und horizontalen (Erlangen-Nuernberg) Anlagen werden beschrieben. Die Temperaturverteilungen in der Loesungszone wurden gemessen, um Diffusions- und Stroemungsvorgaenge und Vorgaenge an der Phasengrenze fest-fluessig abschaetzen zu koennen und die Heiztemperatur exakt zu regeln. Maximale Wachstumsraten von (3,0 (2,0) plus oder minus 0,5)x10(exp-3) mm/Minute wurden fuer GaSb (InSb) erreicht. Die erhaltenen Einkristalle (bis 30 mm Laenge, 10 mm Durchmesser) besitzen Versetzungsdichten, die zwei Groessenordnungen unter der des Keimkristalls liegen.
Untersuchung der Moeglichkeiten zur Verbesserung der Kristallqualitaet von III-V-Halbleitern im Hinblick auf Experimente unter O-g-Bedingungen
Forschungsbericht. BMFT ; Dez ; 1-70
1977
70 Seiten, 34 Bilder, 7 Tabellen, 20 Quellen
Report
German
Moeglichkeiten der konstruktiven Verbesserung der LUftkissenfahrzeuge
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