Unter hohem Druck werden die genannten Halbleiter leitend. Verfasser wertet diesen Befund fuer den Nachweis schneller ungeladener Partikel aus. Diese Messtechnik ist von besonderem Interesse fuer die Raumforschung. Es werden zwei Anordnungen mit Se als Beispiel beschrieben und die Messung von Masse und Geschwindigkeit auftreffender Fe-Partikel von maximal 2 MeV behandelt. Eine direkte Korrelation der bei einer angelegten Spannung von einigen Volt entstehenden Impulse zu den Teilcheneigenschaften wird nachgewiesen.


    Access

    Check access

    Check availability in my library

    Order at Subito €


    Export, share and cite



    Title :

    Microparticle detector based on the energy gap disappearance of semiconductors (Si, J, Te, Bi, Ge, Sn, Si, and InSb) at high pressure


    Additional title:

    Mikroteilchendetektor auf der Basis der Bandabstandsloeschung bei Halbleiter (Si, J, Te, Bi, Ge, Sn, Si und InSb) unter hohem Druck


    Contributors:
    Rauser, P. (author)

    Published in:

    Journal of Applied Physics ; 45 , 11 ; 4869-4871


    Publication date :

    1974


    Size :

    3 Seiten, 3 Bilder, 2 Quellen



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    English




    InAsSb/InSb Strained-Layer Superlattice Infrared Detector Technology

    Kurtz, S. R. / The Electrochemical Society | British Library Conference Proceedings | 1995


    Evidence of carrier localization in InAsSb/InSb digital alloy nBn detector

    Gunapala, Sarath / Keo, Sam / Fisher, Anita et al. | NTRS | 2017


    Damage effect of cw COIL to PV InSb detector [3268-31]

    Chen, J. / Lu, Q. / Jiang, Z. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998


    Calculation and verification of thermal stress in InSb focal plane arrays detector

    Meng, Q. / Zhang, X. / Lü, Y. et al. | British Library Online Contents | 2017