Unter hohem Druck werden die genannten Halbleiter leitend. Verfasser wertet diesen Befund fuer den Nachweis schneller ungeladener Partikel aus. Diese Messtechnik ist von besonderem Interesse fuer die Raumforschung. Es werden zwei Anordnungen mit Se als Beispiel beschrieben und die Messung von Masse und Geschwindigkeit auftreffender Fe-Partikel von maximal 2 MeV behandelt. Eine direkte Korrelation der bei einer angelegten Spannung von einigen Volt entstehenden Impulse zu den Teilcheneigenschaften wird nachgewiesen.
Microparticle detector based on the energy gap disappearance of semiconductors (Si, J, Te, Bi, Ge, Sn, Si, and InSb) at high pressure
Mikroteilchendetektor auf der Basis der Bandabstandsloeschung bei Halbleiter (Si, J, Te, Bi, Ge, Sn, Si und InSb) unter hohem Druck
Journal of Applied Physics ; 45 , 11 ; 4869-4871
1974
3 Seiten, 3 Bilder, 2 Quellen
Article (Journal)
English
InAsSb/InSb Strained-Layer Superlattice Infrared Detector Technology
British Library Conference Proceedings | 1995
|Damage effect of cw COIL to PV InSb detector [3268-31]
British Library Conference Proceedings | 1998
|Calculation and verification of thermal stress in InSb focal plane arrays detector
British Library Online Contents | 2017
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