Der IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) und der IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) werden diejenigen elektronischen Bauelemente sein, die im nächsten Jahrzehnt vorzugsweise für FACTS (Flexible AC Transmission Systems) und andere Hochleistungsanwendungen zum Einsatz kommen. Neue Anwendungen sind zwischen den Bereichen Bahntechnik und Industrie sowie zwischen den Bereichen Energieerzeugung, -übertragung und -verteilung angesiedelt. Sie lassen sich grob unter den Begriffen "FACTS", "Stromversorgungsqualität" und "Anwendungsspezifische Stromversorgung" zusammenfassen. Neue Entwicklungen auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter und der Gehäusetechnik werden dazu beitragen, dass die Leistungselektronik verstärkt in den Bereich der Energieverteilung eindringt, wobei Effizienz und Betriebssicherheit der Geräte steigen und die Kosten für die geschalteten Megawatt sinken werden. Die neuen Halbleiterbauelemente wie Thyristor, Transistor und Dioden werden vorgestellt.


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    Title :

    Leistungselektronik für den Megawattbereich


    Subtitle :

    Die Leistungselektronik dringt in die Energieverteilung vor



    Published in:

    Technica ; 48 , 12 ; 12-18


    Publication date :

    1999-01-01


    Size :

    7 pages



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    German




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