Diese Arbeit befasst sich mit Al-basierter physikalischer Gasphasenabscheidung als alternatives Herstellungsverfahren einer Rückseitenmetallisierung für nPERT Siliziumsolarzellen. Al-basierte Metallisierungssysteme wie Al, Al-Si-Legierung (1 at% Si) und Al-Si/Al- Schichtstapel wurden in Bezug auf Al-Spiking, spezifischem Kontaktwiderstand und Rückseitenreflexion untersucht und verglichen. Bei Verwendung einer Al-Einzelschichtmetallisierung kam es zur Bildung von Al-Spikes. Wurde eine Al-Si-Legierung aufgebracht, konnte das Al-Spiking vermieden werden, jedoch gleichzeitig mit einer Bildung von starkausgeprägten Si-Präzipitaten. Deswegen wurde ein neuer Ansatz mit einem Al-Si/Al-Schichtstapel statt Einzelschichtsystemen entwickelt. Mit diesem Ansatz und mit einer optimierten Dicke der Al-Si-Schicht konnten sowohl das Al-Spiking als auch die Si-Präzipitation deutlich reduziert werden. Der optimierte Al-Si/Al-Schichtstapel zeigte zusätzlich einen ausreichend niedrigen spezifischen Kontaktwidestand und eine hohe Rückseitenreflexion und darüber hinaus eine deutlich höhere thermische Stabilität verglichen mit dem Al-Einzelschichtmetallisierung.
Aluminum-based PVD rear-side metallization for front-junction nPERT silicon solar cells
2015
204 S.
Ill., graph. Darst.
Parallel als Online-Ausg. erschienen unter der Adresse http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=25639
Theses
English
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