Abschlussbericht zum Verbundvorhaben Weiterentwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si-Wafer - ENOWA II, Teilprojekt: "Weiterentwicklung der Quasimono-Technologie" mit dem Teilvorhaben "Grundsatzversuche zur tiegelfreien Quasimono-Züchtung" : Projektlaufzeit: 01.01.2015-30.06.2016
ENOWA II
Weiterentwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si-Wafer
Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si Wafer Teil 2 (ENOWA II), Teilprojekt: "Weiterentwicklung der Quasi mono (QM)-Technologie
2017
35 Seiten, 1 ungezähltes Blatt
Illustrationen, Diagramme
Förderkennzeichen BMWi 0325805C. - Verbund-Nummer 01158902
Weitere Autorin und durchführende Institution dem Berichtsblatt entnommen
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Report
German