Für Personenkraftwagen und landwirtschaftliche Fahrzeuge wird zunehmend der Elektroantrieb verwendet. Die Antriebsmotoren werden von einer 200-V-Batterie über einen Wechselrichter gespeist. In der Arbeit werden der Aufbau und die Wirkungsweise des Wechselrichters besprochen, der anstelle von MOS-FETs, IGBTs mit angepaßter Freilaufdiode benutzt. Die Betriebseigenschaften der beiden Wechselrichter-Bauelemente werden verglichen. Dabei wird auf den Vorteil der Freilaufdiode bei der Nutzbremsung hingewiesen. In einer Tabelle ist der Raumaufwand für den MOS-FET, den IGBT und die Freilaufdiode zusammengestellt. IGBT plus Diode für 300 V erfordern 59 % des Platzes eines MOS-FETs für 200 V. Mit einem Schaltbild eines Versuchsaufbaues, bestehend aus einem IGBT mit Freilaufdiode, die eine ohmsche-induktive Belastung speisen, wird die Arbeitsweise beschrieben. Die Versuchsergebnisse zeigen in Kurvenform, Kurvenform der Eingangsspannung, Ausgangsspannung und des Laststromes als Funktion der Spannung, während einer Kommutierungsperiode, beim Abschalten und beim Einschalten. Die einzelnen Vorgänge werden eingehend analysiert. Die Versuche bestätigen, daß die Schaltung Konstruktions-reif für die Fertigung ist.
IGBT and diode for electric vehicles
Ersatz des MOS-FET durch einen IGBT mit Freilaufdiode für den Wechselrichter eines Elektro-Straßenfahrzeuges mit Batteriebetrieb
PCIM Europe (Power Conversion and Intelligent Motion) ; 10 , 3 ; 150-154
1998
5 Seiten, 4 Bilder, 1 Tabelle
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
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