Die Technologie, Herstellung, Eigenschaften und Vorteile sowie die Anwendungsgebiete von Trench-MOSFETs, Leistungs-MOSFETs mit geringem Durchlaßwiderstand werden erörtert. Die Trench-MOS-Technologie, die hexagonale Zellenstruktur mit vertikalem Graben (Trench) und vertikalem Stromfluß, die drastische Verringerung des spezifischen Chipwiderstands und deutliche Reduzierung des Durchlaßwiderstands und der Verlustwärme durch den Trench-MOS-Prozeß, die realisierten Eigenschaften der Trench-MOS-Transistorzelle Grabenbreite bei 1 mm, Zellpitch bei 11 mm und Zelldichte bei 6,2 Millionen pro Quadratzoll und der Einsatz des Plasmaätzens für die Herstellung der Trench-MOSFETs werden erläutert. Die Vorteile des geringen Durchlaßwiderstands der Trench-MOSFETs, Einsetzbarkeit bei höheren Umgebungstemperaturen, Verlustwärmeabfuhr mit kleinerer Kühlfläche und Möglichkeit der Herstellung oberflächenmontierter Trench-MOSFETs sowie Anwendungsgebiete für die Trench-MOSFETs, insbesondere der Automobilbau aber auch Haushalt und Industrie-Automatisierung werden angeführt. (zweisprachisches Dokument: englisch/deutsch)
Low on-resistance with Trench MOS
Geringer Durchlaßwiderstand mit Trench MOS
PCIM Europe (Power Conversion and Intelligent Motion) ; 8 , 5 ; 328-332
1996
4 Seiten, 4 Bilder
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
MOS-FET , Technologie , Automobilbau , Automatisierung , Industrie , Steuerungssystem , Haushalt (Familie) , Verlustwärme , Widerstandswert (elektrisch) , Chip , Herstellung , Plasmaätzen , Umgebungstemperatur , Gehäuse , Kühlfläche , oberflächenmontiertes Bauelement , Hersteller , Leistungstransistor , Mikrostruktur
Improved Trench Film Cooling With Shaped Trench Outlets
Online Contents | 2013
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Europäisches Patentamt | 2017
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