Leistungskomponenten in Hybrid- und Elektrofahrzeugen müssen Ströme bis 200 A bei Spannungen bis 1200 V bewältigen - und darüber hinaus verlustarm bei hohen Temperaturen arbeiten. Ein heißer Kandidat für künftige automobile Leistungsschalter ist das Halbleitermaterial Galliumnitrid. Was können wir von GaN-basierten Bausteinen erwarten? Die Power-GaN/Si-Technologie schreitet voran und scheint aus heutiger Sicht die künftige Technologie der Wahl für mittlere Spannungen zu sein. Bei Elektround Hybridfahrzeugen sind signifikante Verbesserungen auf Systemebene zu erwarten, das Kühlsystem wird einfacher, Gewicht und Abmessungen reduzieren sich, die Kosten für passive und mechanische Komponenten sinken. Die Reichweite nimmt zu, oder es kann eine kleinere und damit kostengünstigere Batterie zum Einsatz kommen. Angesichts der vorliegenden Ergebnisse kann man für die Zukunft neben den automobilen Anwendungen auch den industriellen Dreiphasen-Niederspannungsmarkt ins Auge fassen.


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    Titel :

    Die Zukunft der automobilen Leistungselektronik? Galliumnitrid auf Silizium


    Beteiligte:
    Assad, Cherif (Autor:in) / Mureau, Herve (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2012


    Format / Umfang :

    4 Seiten, 5 Bilder, 1 Tabelle



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch