Im Rahmen der hier beschriebenen Untersuchungen werden Modelle für CAN- und FlexRay-Transceiver, sowie Verfahren für die Parameterbestimmung entwickelt. Vorhandene VHDL-AMS-SI-Modelle werden auf ihre Eignung für EMV-Untersuchungen überprüft und die Simulationsmodelle anschließend um Modelle typischer ESD-Schutzelemente erweitert. Die gewonnenen Simulationsergebnisse werden exemplarisch anhand von Messungen verifiziert und so die Anwendbarkeit des Verfahrens nachgewiesen. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Auswirkung von sinusförmigen Störspannungen auf Kfz-Bustransceiver in Verbindung mit ESD-Schutzbeschaltungen. Die durchgeführten Untersuchungen zeigen, dass sich vorhandene VHDL-AMS - Modelle für Diodenarrays und Varistoren auch für EMV-Simulationen im Frequenzbereich eignen. In Kombination mit den entwickelten Transceivermodellen können diese zu einem Gesamtsystem zusammengefasst und die Simulationsumgebung modular mit VHDL-AMS-Modellen aus anderen Bibliotheken erweitert werden. Dabei ist die Übereinstimmung zwischen den Simulations- und Messergebnissen sehr gut. Die untersuchten ESD-Schutzbeschaltungen können bei einkoppelnden sinusförmigen Störspannungen das Differenzbussignal begrenzen, sodass es zu Bitfehlern kommt. Die Durchbruchspannung eines Schutzelements sollte möglichst hoch gewählt werden, um die Störfestigkeit des Bussystems nicht herabzusetzen. Hier wird deutlich, dass Maßnahmen zur Spannungsbegrenzung, die zu einer hohen ESD-Festigkeit führen, eine reduzierte Störfestigkeit gegen sinusförmige Störgrößen zur Folge haben können. Ein signifikanter Einfluss der Schutzelementekapazität konnte nicht beobachtet werden.
Störfestigkeit von Kfz-Bustransceivern gegen sinusförmige Störgrößen in Verbindung mit nichtlinearen ESD-Schutzbeschaltungen
Interferece resitance of vehicle bus tranceivers against sinusoidal transients combined with nonlinear ESD-protection circuits
2010
8 Seiten, 11 Bilder, 2 Tabellen, 10 Quellen
Aufsatz (Konferenz)
Deutsch
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