Die Zuverlässigkeit von elektronischen Leistungsschaltkreisen (ICs) für den Automobilbau kann durch die neuartige Synchrotron-Laue-Contrast-Radiography (SLCR) prognostiziert werden. In Zusammenarbeit mit der Infineon Technologies AG wurde das Verfahren bei BESSY an der BAMline realisiert. Dabei war es erforderlich, kleinste Verbiegungen des Silizium-Einkristall-Wafers im IC zu vermessen, weil diese Brüche der Passivierung von Leiterbahnen in der aufgebrachten Schaltung verursachen können. Dies gelingt mittels hochenergetischer, monochromatischer Synchrotron-Strahlung (55keV), die auch die gesamte Umhüllung (Polymer-Komposit und Kupfer-Kühlplatte) des ICs durchdringt. Die kohärente Streuung der Synchrotronstrahlung durch den Einkristall-Wafer ist extrem winkelabhängig, sodass im Transmissionsradiogramm des Röntgen-Detektors der lokalisierte Streuverlust als 'Isokline' erscheint. Werden solche in mehreren 0,005 Grad Winkelschritten innerhalb weniger Minuten akkumuliert, entsteht ein Streifenmuster, das dem Newtonscher Ringe an dünnen transparenten Schichten ähnelt. Unter wechselnder thermischer Belastung ändert sich die Krümmung des Wafers und damit die Liniendichte. Typische Krümmungsradien zwischen 5 m und 50 m können als neues Zuverlässigkeitskriterium ermittelten werden. Aus dem Streifenmuster lässt sich ein dreidimensionales nanometergenaues Höhenprofil ableiten.


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    Titel :

    Sichere Automobil Elektronik durch nanogenaues Synchrotron-Prüfverfahren


    Weitere Titelangaben:

    Safety automotive electronic by nano accuracy synchrotron testing method


    Beteiligte:
    Müller, Bernd R. (Autor:in) / Harwardt, Michael (Autor:in) / Hentschel, Manfred P. (Autor:in) / Lange, Axel (Autor:in) / Alpern, Peter (Autor:in) / Tilgner, Rainer (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2007


    Format / Umfang :

    8 Seiten, 11 Bilder, 5 Quellen



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Datenträger


    Sprache :

    Deutsch




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