A substrate bias compensation circuit is described which monitors the threshold voltage of a sample FET circuit on an integrated circuit chip and modifies the substrate voltage for a chip to compensate for variations in the monitor threshold voltage due to radiation damage such as might occur in a space satellite exposed to a solar flare.


    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Dynamic substrate bias to achieve radiation hardening


    Weitere Titelangaben:

    Dynamische Substratvorspannung zur Erzielung von Strahlungshaerte


    Beteiligte:
    DeBar, D.E. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1983


    Format / Umfang :

    2 Seiten


    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Radiation Hardening of Computers

    Nichols, D. K. / Smith, L. S. / Zoutendyk, J. A. et al. | NTRS | 1986


    Radiation Hardening, Reliability and Redundancy

    Sebestyen, George / Fujikawa, Steve / Galassi, Nicholas et al. | Springer Verlag | 2018



    Transformation hardening of crankshafts with Nd:YAG-laser radiation

    Kuepper,F. / Treusch,G. / Wissenbach,K. et al. | Kraftfahrwesen | 1992


    Use of Dynamic Valving to Achieve Residual-Affected Combustion

    Simon, A. J. / Edwards, C. F. / Kaahaaina, N. B. et al. | SAE Technical Papers | 2001