Vf. stellt eine rechnergestuetzte Entwurfstechnik vor. Mit ihr ist es moeglich, Verstaerker mit geringem Rauschpegel, mit hoher Leistung und mit grosser Bandbreite zu entwerfen. Anhand eines Beispiels wird die Technik erlaeutert. Bei dem vorgestellten Entwurf handelt es sich um einen breitbandigen GaAs MESFET-Verstaerker fuer Frequenzen von 4-18 GHz. Die maximale Verstaerkung wird bei 18 GHz erreicht. Nach einer Optimierung der Leitungslaenge betraegt die Verstaerkung im Arbeitsbereich 5,3 bis 5,6 dB.


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    Titel :

    Computer aided design of broadband GaAs MESFET microwave integrated circuits


    Weitere Titelangaben:

    Rechnergestuetzter Entwurf von breitbandigen integrierten GaAs MESFET Mikrowellenschaltungen


    Beteiligte:
    Vendelin, G.D. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1979


    Format / Umfang :

    9 Seiten, 7 Bilder, 8 Quellen


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Comparison of Sl/CMOS and GaAs MESFET Technologies for Analog Optoelectronic Circuits

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Microwave GaAs Integrated Circuits On Quartz Substrates

    Siegel, Peter H. / Mehdi, Imran / Wilson, Barbara | NTRS | 1994



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    Szoeke, J. | Tema Archiv | 1985


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    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997