Mit Hilfe der Travelling-Solvent(Heater)-Methode (TSM bzw. THM) soll eine Verbesserung der Kristallqualitaet in III-V-Halbleitern insbesondere GaSb und InSb, erreicht werden, wobei daraus Erwartungen fuer Experimente im Spacelab abgeleitet werden sollen. Wachstumsversuche in vertikalen (Stuttgart) und horizontalen (Erlangen-Nuernberg) Anlagen werden beschrieben. Die Temperaturverteilungen in der Loesungszone wurden gemessen, um Diffusions- und Stroemungsvorgaenge und Vorgaenge an der Phasengrenze fest-fluessig abschaetzen zu koennen und die Heiztemperatur exakt zu regeln. Maximale Wachstumsraten von (3,0 (2,0) plus oder minus 0,5)x10(exp-3) mm/Minute wurden fuer GaSb (InSb) erreicht. Die erhaltenen Einkristalle (bis 30 mm Laenge, 10 mm Durchmesser) besitzen Versetzungsdichten, die zwei Groessenordnungen unter der des Keimkristalls liegen.


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    Titel :

    Untersuchung der Moeglichkeiten zur Verbesserung der Kristallqualitaet von III-V-Halbleitern im Hinblick auf Experimente unter O-g-Bedingungen


    Beteiligte:
    Benz, K.W. (Autor:in) / Weiss, H. (Autor:in) / Mueller, G. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1977


    Format / Umfang :

    70 Seiten, 34 Bilder, 7 Tabellen, 20 Quellen


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch