BEAMOS (Beam Addressed Metal Ocyde Semiconductor) ist eine Speichertechnik, bei der unstrukturierte MOS-Speicher mit Hilfe eines Elektronenstrahls gelesen oder beschrieben werden. Aufbau des Speichermediums und Zugriff ueber Elektronenstrahl werden beschrieben. Die Eigenschaften des Speichers umfassen freie Wahl des Datenformats, grosse Kapazitaet, geringe Zugriffszeit, hohe Datenuebertragungsraten und Zerstoerungsfreiheit auch im stromlosen Zustand. Die Konsequenzen fuer ein Betriebssystem werden untersucht. Weitere Eigenschaften, die das System fuer militaerischen Einsatz auszeichnen, sind Temperatur- und Strahlungsunempfindlichkeit, geringes Volumen und Zuverlaessigkeit. Entwicklungsstand, Kosten und weitere Entwicklungsmoeglichkeiten werden angegeben.


    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    BEAMOS - a new electronic digital memory


    Weitere Titelangaben:

    BEAMOS - ein neuer elektronischer digitaler Speicher


    Beteiligte:
    Hughes, W.C. (Autor:in) / Lemmond, C.Q. (Autor:in) / Parks, H.G. (Autor:in) / Ellis, G.W. (Autor:in) / Possin, G.E. (Autor:in) / Wilson, R.H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1975


    Format / Umfang :

    8 Seiten, 7 Bilder, 8 Quellen


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Wideband channelized sub-sampling transceiver for digital RF memory based electronic attack system

    Kale, Ajinkya / Thirumuru, Ramakrishna / Pasupureddi, Vijaya Sankara Rao | Elsevier | 2016


    Three-Dimensional Optical Digital Memory

    Jutamulia, S. / Storti, G. M. | British Library Online Contents | 1995


    NAC's 500 DM Digital Memory

    Online Contents | 1995



    ELECTRONIC DIGITAL TACHOGRAPH

    ORLOV PETR ANATOL EVICH / BUSHIN SERGEJ ALEKSEEVICH / PUNCHEV DIMIT R EMILOV | Europäisches Patentamt | 2015

    Freier Zugriff