Ein mit COS-, MOS- und SOS-Halbleiterbauelementen bestueckter 256 bit-RAM-Speicher und eine TA 6567-Baugruppen wurden aufihr Betriebsverhalten hin ueberprueft. Der Speicher wurde dabei sowohl mit Aluminium-Gate-Stromkreisen als auch mit Silizium-Gate-Spannungskreisen aufgebaut. Ueber die Stabilitaet der SOS-Beam-tead-Baugruppen, bei Verwendung von TA 5388-Bauelementen, wird abschliessend berichtet.


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    Titel :

    Design, processing and testing of LSI arrays for space station (Quarterly techn. rept. 1 Jul - 30 Sep 1974)


    Weitere Titelangaben:

    Entwurf, Arbeitsweise und Pruefung von Grossintegrations-Halbleiterbaugruppen fuer Raumfahrtstationen (Quartalsbericht)


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    NASA-Reports ; Nov. ; 1-34


    Erscheinungsdatum :

    1974


    Format / Umfang :

    34 Seiten


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch