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    Titel :

    Insulated gate bipolar transistor reliability testing protocol for PV inverter applications



    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2014



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    BKL:    53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher



    Insulated gate bipolar transistor family

    Aloisi, P. | Tema Archiv | 1995



    Development of an Insulated Gate Bipolar Transistor for the High-power Hybrid System

    Nishiwaki, Katsuhiko / Ishiko, Masayasu / Togawa, Norihiro et al. | SAE Technical Papers | 2007


    Method and system for overcurrent protection for insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules

    SCHULZ STEVEN E / TANG DAVID / HITI SILVA et al. | Europäisches Patentamt | 2018

    Freier Zugriff

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    Togawa,N. / Harada,T. / Nishiwaki,K. et al. | Kraftfahrwesen | 2007