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    Titel :

    Characterization of the post-thermal annealing effect for p-GaAs/i-InGaAsN/n-GaAs hetero-junction solar cells



    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2012



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Klassifikation :

    BKL:    50.70 Energie: Allgemeines / 52.56 Regenerative Energieformen, alternative Energieformen / 52.52 Thermische Energieerzeugung, Wärmetechnik / 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher



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    Robinson, B. J. / Yuan, L. / Thompson, D. A. et al. | British Library Conference Proceedings | 2000


    Thermal annealing of GaAs concentrator solar cells

    Curtis, H.B. / Brinker, D.J. | Tema Archiv | 1989


    InGaAsN/GaAs lasers fabricated with pulsed anodic oxides

    Chongyang Liu, / Wah, R.T.J. / Shu Yuan, et al. | IEEE | 2003



    Record-low thresholds of InGaAsN/GaAs SQWs lasers

    Averbeck, R. / Jaschke, G. / Geelhaar, L. et al. | IEEE | 2004