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    Titel :

    Very low surface recombination velocity of crystalline silicon passivated by phosphorus-doped a-SicxNy:H(n) alloys



    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2008



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    BKL:    53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher