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    Titel :

    Thermal stability of GaAs tunnel junctions using carbon as a p-type dopant grown by metal-organic vapor phase epitaxy



    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1998



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Klassifikation :

    BKL:    53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher / 52.52 Thermische Energieerzeugung, Wärmetechnik / 52.56 Regenerative Energieformen, alternative Energieformen / 50.70 Energie: Allgemeines



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