New process excludes usual silicon oxide passivation. Changes in principal electrical parameters during two kinds of processing suggest antireflection treatment almost as effective as oxide treatment in passivating cells. Does so without disadvantages of SiOx passivation.


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    Titel :

    Antireflection/Passivation Step For Silicon Cell


    Beteiligte:
    Crotty, Gerald T. (Autor:in) / Kachare, Akaram H. (Autor:in) / Daud, Taher (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.10.1988



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :