Alternating layers of GexSi1.x and Si deposited by molecular beam epitaxy. When electric field applied across stack, acts as detector for infrared photons. Device fabricated on silicon substrate together with sophisticated very-large-scale integrated circuitry. Useful for wide range of applications related to robotics, space exploration, and terrestrial surveillance.


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    Titel :

    Tailorable Infrared Sensing Devices


    Beteiligte:
    Cheng, L. J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1986-07-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    Bonded and Tailorable Composite Assembly

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