Efficiency of multiple-junction silicon solar cells increased by inclusion of p+/n+ tunnel junctions of highly doped GaP between component cells. Relatively low recombination velocity at GaP junction principal reason for recommending this material. Relatively wide band gap also helps increase efficiency by reducing optical losses.


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    Titel :

    Improved Solar-Cell Tunnel Junction


    Beteiligte:
    Daud, T. (Autor:in) / Kachare, A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1986-06-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch




    Improved High/Low Junction Silicon Solar Cell

    Neugroschel, A. / Pao, S. C. / Lindholm, F. A. et al. | NTRS | 1986


    Improved High/Low Junction Silicon Solar Cell

    Neugroschel, A. / Pao, S. C. / Lindholm, F. A. et al. | NTRS | 1986