Silicon wafers subjected to gettering in phosphorus atmosphere have longer diffusion lengths and higher solar-cell efficiencies than untreated wafers. Gettering treatment improves properties of solar cells manufactured from impure silicon and is compatible with standard solar-cell processing.


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    Titel :

    Gettering Silicon Wafers with Phosphorus


    Beteiligte:
    Daiello, R. V. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1983-03-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :