X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is analytical technique for understanding electronic structure of atoms close to surface in solids, in preference to bulk structure of material. Study found evidence for core-level chemical shifts arising from changes in local structural environment in amorphous SiO2 and at Si/SiO2 interface. Observed XPS spectra may be understood as sequential convolution of several functions, each with well-defined physical interpretation.


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    Titel :

    XPS Study of SiO2 and the Si/SiO2 Interface


    Beteiligte:
    Grunthaner, F. J. (Autor:in) / Grunthaner, P. J. (Autor:in) / Vasquez, R. P. (Autor:in) / Lewis, B. F. (Autor:in) / Maserjian, J. (Autor:in) / Madhukar, A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1982-12-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :