Report describes effects of power and temperature overstress on National Semiconductor and Raytheon transistors. Good junction quality was maintained. Gain losses predominated. Other failures are reported.


    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    JANTX2N2369A transistor


    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1980-08-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch