Zwei Alternativen zu GTOs (Gate Turn-Off-Thyristor) für Traktionsumtrichter sind IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristor) und IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor). IGCTS gelten als konsequente Weiterentwicklung von GTOs und beinhalten die bereits gemachten Erfahrungen im Bereich hoher Leistungen. IGBTs haben einen geringen Ansteueraufwand und einen beschaltungsfreien Einsatz. Geschildert wird die Entwicklung vom GTO zum IGCT, vom Power MOS-FET zum Hochleistungs-IGBT-Modul, der Vergleich der Strukturen und deren Zuverlässigkeit.
Halbleiterbauelemente für die Traktion
eb - Elektrische Bahnen ; 97 , 9 ; 300-305
1999-01-01
6 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Deutsch
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