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    Titel :

    Cain characteristics of high characteristic temperature 1.3 /spl mu/m GaInAsP/lnP strained-layer qua


    Beteiligte:
    Kasukawa, A. (Autor:in) / Iwai, N. (Autor:in) / Yamanaka, N. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1995-01-01


    Format / Umfang :

    298368 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    980nm Laser Diodes using Strained-Layer GaInAsP Quantum-Wells

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    High Reliability, High Performance 1300nm, 1480nm GaInAsP/InP GRIN-SCH Strained-Layer Quantum Well Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Low Threshold 1.3um-GaInAsP/InP Tensile-Strained Quantum Well Lasers with Buried Heterostructure

    IEEE / Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1995