We report an optically pumped surface-emitting semiconductor laser which is passively mode-locked and generates 1.9 W of average power in 27-ps pulses at 0.96 /spl mu/m. The maximum diffraction-limited continuous-wave output is 4.4 W.


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    Titel :

    Mode-locked high-power surface-emitting semiconductor laser


    Beteiligte:
    Aschwanden, A. (Autor:in) / Lorenser, D. (Autor:in) / Haring, R. (Autor:in) / Paschotta, R. (Autor:in) / Gini, E. (Autor:in) / Keller, U. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    82538 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Mode-locked high-power surface-emitting semiconductor laser

    Lorenser, D. / Aschwanden, A. / Haring, R. et al. | IEEE | 2003


    Actively mode-locked grating coupled surface emitting semiconductor laser (GCSEL)

    Kyungbum Kim, / Shinwook Lee, / Delfyett, P. | IEEE | 2003


    10-GHz passively mode-locked surface-emitting semiconductor laser with 1.4 W output power

    Aschwanden, A. / Lorenser, D. / Unold, H.J. et al. | IEEE | 2004


    A passively mode-locked surface emitting diode laser

    Jasim, K. / Zhang, Q. / Nurmikko, A.V. et al. | IEEE | 2003