By using gain nonlinearity characteristics of semiconductor optical amplifier, an all-optical NAND gate at 10 Gbps is demonstrated. The all-optical NAND gate operates in single mechanism, which is XGM.


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    Titel :

    All-optical NAND gate using cross gain modulation in semiconductor optical amplifiers


    Beteiligte:
    Kim, S.H. (Autor:in) / Kim, J.H. (Autor:in) / Choi, J.W. (Autor:in) / Byun, Y.T. (Autor:in) / Jhon, Y.M. (Autor:in) / Lee, S. (Autor:in) / Woo, D.H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    384928 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




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    Hessler, T. / Pleumeekers, J.L. / Selbmann, P.E. et al. | IEEE | 1998


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    Young Toe Byun, / Kyoung Sun Choi, / Young Min Jhon, et al. | IEEE | 2005


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    Contestabile, G. / Proietti, R. / Calabretta, N. et al. | British Library Online Contents | 2007