In this paper, we have fabricated EO modulators using InAs/lnGaAs columnar QDs, and measured the modulation characteristics. The switching voltage is about 6.1 V and the modulation efficiencies of QD EO modulators are higher than those of bulk modulators at 1.55 /spl mu/m.


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    Titel :

    InAs/InGaAs quantum dot Mach-Zehnder modulator at 1.55/spl mu/m


    Beteiligte:
    Seong Hae Ok, (Autor:in) / Young Tae Byun, (Autor:in) / Chang Wan Son, (Autor:in) / Yon Tae Moon, (Autor:in) / Young Wan Choi, (Autor:in) / Jae Eung Oh, (Autor:in) / Senngho Lee, (Autor:in) / Young Min Jhon, (Autor:in) / Deok Ha Woo, (Autor:in) / Seok Lee, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    712097 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    InAs/InGaAs quantum dot Mach-Zehnder modulator at 1.55 /spl mu/m

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