We have observed intersubband transition dynamics in GaN/AlN MQWs at 1.55 /spl mu/m. The relaxation dynamics consists of ultrafast component of /spl sim/170 fs and slower component of /spl sim/1.1 ps. We discussed the origin of these dynamics.


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    Titel :

    Ultrafast intersubband relaxation at 1.55 /spl mu/m in GaN/AlN MQWs


    Beteiligte:
    Hamazaki, J. (Autor:in) / Matsui, S. (Autor:in) / Kunugita, H. (Autor:in) / Ema, K. (Autor:in) / Kanazawa, H. (Autor:in) / Tachibana, T. (Autor:in) / Kikuchi, A. (Autor:in) / Kishino, K. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    63320 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Ultrafast intersubband relaxation at 1.55 mum in GaN/AlN MQWs

    Hamazaki, J. / Matsui, S. / Kunugita, H. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Optical gain calculations for 1.55 mum unipolar intersubband semiconductor lasers

    Cheung, C. Y. L. / Pierce, I. / Rees, P. et al. | British Library Conference Proceedings | 2000



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    Lestrade, M. / Li, Z. Q. / Li, Z. S. | British Library Online Contents | 2014