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    Titel :

    Effect of p-doping on carrier leakage and characteristic temperature T/sub 0/ of 1.3 /spl mu/m strained lnGaAsP/lnP multiple quantum well lasers


    Beteiligte:
    Donetsky, D.V. (Autor:in) / Belenky, G.L. (Autor:in) / Reynolds, C.L. (Autor:in) / Kazarinov, R.F. (Autor:in) / Luryi, S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1997


    Format / Umfang :

    147588 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Photoexcited carrier transport in lnGaAsP/ InP quantum well laser structures

    Marcinkevicius, S. / Olin, U. / Frojdh, K. et al. | IEEE | 1994


    Low power all-optical switch in a passive lnGaAsP multiple quantum well waveguide

    Snow, P.A. / Day, I.E. / Penty, R.V. et al. | IEEE | 1994


    Characteristic analysis of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers

    Ma, C. / Han, C. / Liu, S. | British Library Online Contents | 1997



    Integrated Mach-Zehnder lnGaAsP BRAQWET modulators

    Dwir, B. / Monnard, R. / Sadeghi, A. et al. | IEEE | 1994