High-speed operation of InGaAs/InGaAsP strained-layer MQW lasers has been achieved at 70 /spl deg/C under zero-bias condition by optimizing the SCH structure.


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    Titel :

    High-speed operation of strained InGaAs/InGaAsP MQW lasers


    Beteiligte:
    Odagawa, T. (Autor:in) / Nakajima, K. (Autor:in) / Tanaka, K. (Autor:in) / Inoue, T. (Autor:in) / Okazaki, N. (Autor:in) / Wakao, K. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1992-01-01


    Format / Umfang :

    167064 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    High-Speed Operation of Strained InGaAs/InGaAsP MQW Lasers

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