We demonstrate noncontact measurements of electrical properties of GaN thin films using the time domain spectroscopy in the THz frequency region (THz-TDS). The carrier density and temperature dependence of DC resistivity and mobility of the GaN films are investigated.


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    Titel :

    Electrical characterization of GaN thin films using terahertz-time domain spectroscopy


    Beteiligte:
    Nagashima, T. (Autor:in) / Takata, K. (Autor:in) / Hangyo, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    134879 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Electrical Characterization of GaN Thin Films Using Terahertz-Time Domain Spectroscopy

    Nagashima, T. / Takata, K. / Hangyo, M. | British Library Conference Proceedings | 2002


    High resolution terahertz time-domain spectroscopy

    Kroll, J. / Darmo, J. / Unterrainer, K. | IEEE | 2004


    Terahertz time-domain spectroscopy probes materials

    Mittleman, D. M. | British Library Online Contents | 1998



    Terahertz time-domain spectroscopy of wheat grain

    Chua, H.S. / Upadhya, P.C. / Haigh, A.D. et al. | IEEE | 2004