In this paper, we report on the performance of compressive strained quaternary InGaAsP quantum well lasers with record thresholds and compare them to InGaAs tensile strained devices with comparable well width and confinement factor. Equally important, these devices were MOCVD grown with tertiarybutylarsine (TBAs) and tertiarybutylphosphine (TBP) instead of arsine and phosphine.


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    Titel :

    Low threshold 1.55 /spl mu/m quantum well lasers grown with tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine


    Beteiligte:
    Mathur, A. (Autor:in) / Dapkus, P.D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Proceedings of LEOS'94 ; 2 ; 373-374 vol.2


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1994


    Format / Umfang :

    164179 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Low Threshold 1.55 m Quantum Well Lasers Grown with Tertiarybutylarsine and Tertiarybutylphosphine

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994




    Direct Evidence for Transport Limited Bandwidth of 1.55 m Quantum Well Lasers

    Hangleiter, A. / Grabmaier, A. / Shoefthaler, M. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992