A 40-Gbit/s transceiver based on high-performance ICs - using compound semiconductors and SiGe HBTs- was developed. The power consumption and size of the transceiver were reduced by development of electron devices.


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    Titel :

    The 40 Gbit/s optical transceiver using monolithic InP and SiGe ICs


    Beteiligte:
    Takeyari, R. (Autor:in) / Watanabe, K. (Autor:in) / Akashi, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    139590 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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