First, we will review those features that allow unstable resonators to achieve high brightness. Second: we will describe how the overflow of carriers into the barrier layers strong influences the filamentation tendencies of broad-area high-brightness quantum well laser devices.<>


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    Titel :

    Unstable resonator semiconductor lasers


    Beteiligte:
    Denter, G.C. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1993


    Format / Umfang :

    117081 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Unstable Resonator Semiconductor Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Temperature-induced unstable-resonator semiconductor lasers

    Yan Sun / Biellak, S.A. / Fanning, G. et al. | IEEE | 1993


    Temperature-Induced Unstable-Resonator Semiconductor Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993



    High Power (> 1 W cw), Frequency-Stabilized, Flared Unstable Resonator Semiconductor Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994