Photoluminescence spectra from single In(Ga)As:Bi quantum dots in a quantum well show low-temperature emission around 1300 nm. We observe the formation of neutral and charged exciton complexes and a large s-p shell splitting.


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    Titel :

    Electronic shell structure in single InAs/InGaAs quantum dots emitting at 1.3 /spl mu/m


    Beteiligte:
    Cade, N.I. (Autor:in) / Gotoh, H. (Autor:in) / Kamada, H. (Autor:in) / Tawara, T. (Autor:in) / Sogawa, T. (Autor:in) / Nakano, H. (Autor:in) / Okamoto, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    667155 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Formation of InGaAs/GaAs quantum-well dots by using self-assembled InAs quantum dots as stressors

    Xiaodong Mu, / Yujie J. Ding, / Zhiming Wang, et al. | IEEE | 2003



    GaAs-based bipolar cascade InAs/InGaAs quantum dot VCSELs emitting near 1300 nm

    Lott, J.A. / Stintz, A. / Kovsh, A.R. et al. | IEEE | 2005


    Single photon sources based on single InGaAs quantum dots

    Jen-Inn Chyi, / Tung-Po Hsieh, / Hsiang-Szu Chang, et al. | IEEE | 2005