Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Theoretical Analysis Of The Threshold Current Density In GaN/AlGaN n-type Modulation-doped Strained Quantum Well Lasers


    Beteiligte:
    Niwa, A. (Autor:in) / Ohtoshi, T. (Autor:in) / Kuroda, T. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1997-01-01


    Format / Umfang :

    297210 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Well width dependence of threshold in InGaN/AlGaN quantum well lasers

    Chow, W.W. / Amano, H. / Takeuchi, T. | IEEE | 1999


    Ultra-low Transparency Current Density of Strained Quantum Well Lasers by Coupling with n-Type -Doped Layer

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Improved Modulation Bandwidth of Strained Quantum Well Lasers by Coupled with n-type -Doped Layer

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    Intrinsic Modulation Bandwidth of Strained GaInP/AlGaInP Quantum Well Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996