A new method of wavelength tuning for actively mode-locked semiconductor lasers is proposed. A fabricated laser integrated with electro-absorption modulator and two apodized chirped gratings shows a wavelength tuning range of 6.5 nm.


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    Titel :

    Wavelength Tunable Mode-Locked Semiconductor Lasers


    Beteiligte:
    Miyazu, J. (Autor:in) / Segawa, T. (Autor:in) / Matsuo, S. (Autor:in) / Ishii, T. (Autor:in) / Okamoto, H. (Autor:in) / Kondo, Y. (Autor:in) / Suzuki, H. (Autor:in) / Yoshikuni, Y. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    924187 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Wavelength tunable semiconductor lasers

    Buus, J. / Guo li Taiwan da xue / Taiwan guang xue gong cheng xue hui | British Library Conference Proceedings | 2003


    Mode Locked Semiconductor Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993



    Mode Locked Semiconductor Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Tunable Dual-Wavelength Mode-Locked Optical Source

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2003