A 1.27-/spl mu/m GaInNAs-SQW edge-emitting laser diode (LD) demonstrated 80/spl deg/C 10-Gbit/s direct-modulation. Stable aging at 85/spl deg/C shows the potential of this material LDs for cost-effective long-wavelength light sources.


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    Titel :

    Reliable uncooled 10-Gbit/s operation of GaInNAs-SQW laser


    Beteiligte:
    Aoki, A. (Autor:in) / Kondow, M. (Autor:in) / Kitatani, T. (Autor:in) / Nakatsuka, S. (Autor:in) / Kudo, M. (Autor:in) / Tsuji, S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    122246 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Reliable Uncooled 10-Gbit/s Operation of GaInNAs-SQW Laser

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002


    GaInNAs Laser Diode

    Kondow, M. / Kitatani, T. / Nakatsuka, S. et al. | IEEE | 1997



    Uncooled laser operation over 32,1 nm spaced, channels

    Renaud, C.C. / Hamzah, H. / Seeds, A.J. | IEEE | 2004


    Continuous Wave Operation of GaInNAs Laser Diode at Room Temperature

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996